专利摘要:

公开号:WO1990002777A1
申请号:PCT/JP1989/000918
申请日:1989-09-06
公开日:1990-03-22
发明作者:Osamu Manabe;Shigeo Fujita;Shizuo Iwata;Morihiro Kamiyama
申请人:Asahi Chemical Co., Ltd.;
IPC主号:G11B7-00
专利说明:
[0001] 明 細 書
[0002] シァニン系化合物
[0003] 技 術 分 野
[0004] 本発明は、 新規なシァニン系化合物に関する。
[0005] 背 景 技 術
[0006] 従来、 半導体レーザ用無機系記録媒体と しては、 テル ルを主体とする材料を記録層とするものが大半を占めて いる。 然るに、 テルル系材料には、 有毒であること、 耐 食性に乏しいこ と、 高価であるこ と、 高密度化が図れな いこと等の難があり、 このようなテルル系無機材料に替 わる有機性色素の開発が行なわれつつある。
[0007] 記録媒体と しての有機色素に要求される重要な特性は、 以下の通りである。
[0008] ( 1 ) 7 0 0〜 9 0 0 n m付近の近赤外光を強く 吸収し、 その熱エネルギーによって溶融、 昇華、 分解等の形状 変化を伴う ものであること。
[0009] (2 ) 再生時の信号検出のため、 色素膜は光を強く反射す ることが望ま しいこと。
[0010] ( 3 ) 記録層は湿式のコーティ ング法により形成されるの で、 溶剤に対して良好な溶解性を有すること。
[0011] (4 ) 記録後の形状安定性や保存性に優れ、 再生光による 劣化がなく、 実用的には 1 0年以上の保存に耐えるも のである こ と。
[0012] 有機性色素は、 上記無機材料に比し、 低毒性であり、 耐食性に優れ、 安価であり、 高密度化を図れるという利 点を有するものの、 上記(1 ) 〜( の特性のうち、 特に 上記(2) 及び(3) の特性を満足する有機性色素は未だ見 い出されていない。
[0013] 発 明 の 開 示
[0014] 本発明の一つの目的は、 半導体レーザ用光ディ スク記 録媒体の有機近赤外吸収色素と して好適に使用され得る シァニン系化合物を提供するこ とにある。
[0015] 本発明の他の一つの目的は、 半導体レーザ用光デイ ス ク記録媒体の有機近赤外吸収色素と して要求される上記 (1) 〜( の特性を備えたシァニン系化合物を提供する ごにあ 。
[0016] 本発明の他の一つの目的は、 テルル系無機材料に匹敵 する程の高い反射率を有するシァニン系化合物を提供す る とにある o
[0017] 本発明の他の一つの目的は、 溶剤溶解性にも極めて良 好なシァニン系化合物を提供することにある。
[0018] 本発明のシァニン系化合物は、 文献未記載の新規化合 物であって、 下記一般式 ( 1 ) で表わされる。
[0019] 〔式中 R 1 は水素原子又は低級アルキル基を示す。 R 2 は置換基を有することのある低級アルキル基を示す。 X及び Yは、 同一又は異なって、 メ チレン基又は酸素 原子を示す。 Zは酸性残基を示す。 nは 2又は 3を示 す。 〕
[0020] 上記一般式 ( 1 ) において、 R 1 、 R 2 及び Zで示さ れる各基は、 具体的にはそれぞれ以下の通りである。
[0021] 低級アルキル基と しては、 例えばメチル、 ェチル、 n 一プロピル、 イ ソプロ ピル、 n—プチル、 イ ソブチル、 tert—ブチル、 n—へキシル、 n—へプチノレ、 n—ォク チル基等の のアルキル基を例示できる。
[0022] 上記低級アルキル基に置換している置換基と しては、 例えば のアルコキシ基、 水酸基、 スルホ ン酸基、 カルボキシ基、 (c^ のアルキル) ア ミ ノ基、 フエ二 ルスルホニルァ ミ ノ基、 p —メチルフエニルスルホニル アミ ノ基、 ァセ トキシ基、 ( C 1-3 のアルコキシ) カル ボニル基、 ( C ^ のアルコキシ) ( C ^ のアルコキ シ) カルボ二ル基等を挙げることができる。 斯かる置換 基を有する低級アルキル基の具体例と しては、 メ トキシ メチル、 エ トキシメチル、 2—メ トキシェチル、 2—ェ トキシェチル、 2— (n—ブトキシ) ェチル、 n—ブト キシメチル、 2—ヒ ドロキシェチル、
[0023] — (C H2 ) m— S 03 N a (mは 1〜 8の整数) 、 メ チルアミ ノメチル、 ジメチルアミ ノメチル、 2— ( p - メチルフエニルスルホニルァミ ノ) ェチル、 ァセ トキシ メチル、 2—ァセ トキシェチル、 メ トキシカルボニルメ チル、 メ トキシメ トキシメチル、 2—エ トキシエ トキシ ェチル基等を例示できる。
[0024] Zとしては、 ハロゲン原子、 アルキル硫酸塩残基、 ァ リ一ルスルホン酸塩残基、 パークロ レ一ト残基、 テトラ フルォロボレート残基、 ァリールカルボン酸残基等を例 示できる。 Zがハロゲン原子である場合、 Ζ Θ の具体例 としては C Θ、 B r © . I ®、 F O等を例示できる。 Zがアルキル硫酸塩残基である場合、 Ζθの具体例とし ては C H3 S 04 0. C 2 H 5 S 04 Θ .
[0025] η - C 3 H 7 S 04 0 ^ n - C 4 H 9 S 04 e等を例示 できる。 Zがァリ一ルスルホン酸塩残基である場合、 Z®の具体例としては <^ s 03 Q、
[0026] C H 3 S 03 ©等を例示できる。 Zがパークロレ —ト残基である場合、 Ζ Θ の具体例と しては C ^ 04 e等を例示できる。 Zがテ トラフルォロボレ一 ト残基である場合、 の具体例と しては B F 4 Θ等を 例示できる。 また Zがァリールカルボン酸残基である場 合、 の具体例と しては ^ V C 000等を例示でき « o
[0027] 上記一般式 ( 1 ) で表わされる本発明の化合物は、 種 々の方法により製造され得るが、 その好ま しい方法を示 せば例えば下記に示す方法に従い容易に製造される。
[0028] 即ち、 本発明の化合物は、
[0029]
[0030] 〔式中 R 1 、 R 2 、 X、 Y及び Zは前記に同じ。 〕 で表わされるイ ン ドレニウム塩に、 公知の一般式
[0031] 〔式中 ηは前記に同じ。 〕
[0032] で表わされる化合物を縮合反応させることにより製造さ る。
[0033] 上記縮合反応は、 脂肪酸塩の存在下、 脱水性有機酸中 にて行なわれる。 脂肪酸塩と しては、 例えば酢酸ナ ト リ ゥム、 酢酸カ リ ウム、 酢酸カルシウム、 プロ ピオン酸ナ ト リ ウム、 プロ ピオン酸カ リ ウム等を挙げることができ、 これは一般式 (2) の化合物 1モル当り、 通常 0. 5〜 3モル程度、 好ま しく は 1〜2モル程度用いられる。 ま た脱水性有機酸と しては、 例えば無水酢酸、 無水プロピ オン酸、 無水酪酸、 ァ ープチロラク ト ン等が挙げられる。 斯かる脱水性有機酸は、 一般式 (2) の化合物 1モル当 り、 通常 1 0〜 1 0 0モル程度、 好ましく は 2 0〜 5 0 モル程度用いられる。 一般式 (2) の化合物と一般式 (3) の化合物との使用割合は、 通常前者に対して後者 を 0. 2〜 1. 5倍モル程度、 好ましく は 0. 4〜
[0034] 0. 7倍モル程度とするのがよい。 上記反応は、 通常 50〜 1 5 0。(:程度、 好ま しく は 70〜: L 4 0 °Cで好適 に進行し、 一般に 1 0〜6 0分程度で該反応は完結する。
[0035] 上記一般式 (2) のイ ン ドレニウム塩 (一般式 (2 a) 及び一般式 (2 b) の化合物) は、 文献未記載の新規化 合物であって、 該塩は例えば下記に示す方法に従い製造 される。
[0036] (7)
[0037]
[0038] (2 b)
[0039] 〔式中 Z i はパ一クロ レート残基及びテ トラフルォロボ レート残基以外の酸性残基、 Z 2 はパーク 口 レート残 基又はテ トラフルォロボレート残基を示す。 R 1 、 R 2 、 X及び Yは前記に同じ。 〕 一般式 (4) で表わされる公知のァニリ ン誘導体と式 ( 5 ) で表わされる公知の 3—ブロモ一 3—メ チルー 2 ーブタノ ンとの反応は、 脱酸剤の存在下に行なわれる。 脱酸剤と しては、 例えばピリ ジン、 ト リェチルァミ ン、 ト リ ー II 一プロ ピルァ ミ ン、 ト リ ー n —ブチルァミ ン等 の第 3級ァミ ン、 炭酸ナ ト リ ウム、 炭酸力 リ ウム、 炭酸 カルシゥム等の炭酸アル力 リ金属塩、 酢酸ナ ト リ ウム、 酢酸力 リ ウム、 酢酸カルシウム等の酢酸アル力 リ金属塩 等等が挙げられ、 これらは一般式 (4) の化合物に対し て通常 0. 3〜 5倍モル程度、 好ま しく は 0. 5〜
[0040] 1. 5倍モル程度用いられる。 化合物 (4) と化合物 (5 ) との使用割合と しては、 通常前者に対して後者を 0. 3〜 5倍モル量程度、 好ましく は 0. 5〜 1. 5倍 モル量程度とするのがよい。 該反応は、 通常常温〜 2 0 0 °C程度、 好ま しく は 5 0〜: L 5 0 °C程度で行なわ れ、 一般に数時間〜 2 5時間程度、 好ま しく は 5〜 1 5 時間程度で完結する。 .
[0041] 一般式 (2 a ) で表わされる化合物は、 一般式 (6 ) で表わされるィ ン ドレニン誘導体にアルキル化剤を作用 させることにより製造される。 アルキル化剤と しては、 例えば トルェンスルホン酸メチル、 トルェンスルホン酸 ェチル、 トルエンスルホン酸 n —プロ ピル、 トルエンス ルホン酸イソプロ ピル、 トルエンスルホン酸 n —ブチル 等のアルキル トルエンスルホネート、 臭化工チル、 臭化 n —プロ ピル、 臭化 n —プチル、 沃化工チル、 沃化 n— プロ ピル、 塩化 n —プロ ピル、 塩化 n —ブチル等のハロ ゲン化アルキル、 ジメチル硫酸、 ジェチル硫酸等の硫酸 ジアルキル、 酸とエポキシ化合物との混合物 (例えば塩 酸、 硫酸等の無機酸や酢酸、 プロピオン酸等の有機酸等 とエチレンォキサイ ド、 プロ ピレンォキサイ ド等との混 合物) 、 メ チルスル ト ン、 ェチルスル ト ン、 プロ ピルス ノレ ト ン、 プチルスルト ン等のアルキルスル ト ン等が挙げ られる。 化合物 ( 6 ) 1 モルに対するアルキル化剤の使 用量は、 通常 0 . 3〜 5倍モル量程度、 好ま しく は 0 . 5〜 2倍モル量程度とするのがよい。 該反応は、 無 溶媒下又は トルエン、 キシレン等のアルキルベンゼン、 n —オクタ ン、 n —デカン、 シクロへキサン、 デカ リ ン 等の脂肪族炭化水素類、 ベンゼン、 ナフタ リ ン、 テ トラ リ ン等の芳香族炭化水素類、 ト リ ク .ロルェタ ン、 テ トラ ク ロノレエタ ン、 ク ロノレベンゼン、 ジク ロルベンゼン等の ハロゲン化炭化水素類等の溶媒中にて行なわれる。 該反 応は、 通常室温〜 2 0 0 °C程度、 好ま しく は 5 0〜
[0042] 1 5 0 °C程度で行なわれ、 一般に 2〜 3 0時間程度、 好 ま しく は 5〜 2 5時間程度で終了する。 一般式 (7 ) で表わされる化合物は、 化合物 ( 2 a ) を適当な溶媒、 例えば水中にてアル力 リで処理すること により製造される。 用いられるアルカ リ としては、 従来 公知のものをいずれも使用でき、 例えば水酸化ナ 卜 リ ウ ム、 水酸化力リ ウム等が挙げられる。 アルカ リ の使用量 としては、 化合物 (2 a ) 1 モル当り、 通常 1〜 2 0倍 モル量程度、 好ま しく は 1〜 5倍モル量程度とするのが よい。 また溶媒の使用量と しては、 化合物 (2 a ) 1 モ ル当り、 通常 2〜 1 0 0倍モル量程度、 好ま しく は 2〜 2 0倍モル量程度とするのがよい。 上記反応は、 通常 0 〜 1 5 0 °C程度、 好ま しく は 0〜 1 0 0 °C程度で行なわ れ、 一般に数十分〜 1 0時間程度、 好ま しく は 1 〜 5時 間程度で終了する。
[0043] 一般式 (2 b ) で表わされる化合物は、 化合物 ( 7 ) に一般式 ( 8 ) で表わされる化合物をメ タノール、 エタ ノール、 n —プロ ピルアルコール、 イ ソプロ ピルアルコ ール、 n —ブタ ノール、 イ ソブチルアルコール、 t e r t— ブチルアルコール等のアルコール類、 ベンゼン、 トルェ ン、 キシレン、 n —オク タ ン、 n —デカ ン、 シク ロへキ サン、 デカ リ ン、 ト リ ク ロルェタ ン、 テ トラ ク ロルエタ ン、 ク ロルベンゼン、 ジク ロルベンゼン等の炭化水素類 等の適当な溶媒中で反応させることにより製造される。 化合物 ( 7 ) と化合物 ( 8 ) との使用割合と しては、 通 常前者に対して後者を 0 . 3〜 1 0倍モル量程度、 好ま しく は 0 . 5〜 3倍モル量程度とするのがよい。 該反応 は、 0〜 7 0 °C程度で行なわれ、 一般に 1 0分〜 3時間 程度で完結する。
[0044] 斯く して得られる本発明の化合物は、 慣用の単離精製 手段、 例えば再結晶、 カラム分離等により反応混合物か ら容易に単離、 精製される。
[0045] 上記一般式 ( 1 ) で表わされる本発明の化合物は、 メ タ ノ一ル、 エタノール、 n—プロ ピルアルコール、 イ ソ プロ ピルアルコール、 n —ブタノール、 イ ソブタ ノール、 t e r t—ブ夕 ノール等のアルコール、 ジク ロノレメ タ ン、 ジ ク ロルエタ ン等の脂肪酸ハロゲン化炭化水素等の有機溶 剤に良好な溶解性を示し、 6 7 0〜 8 3 0 n mに極大吸 収波長があり、 高いモル吸光係数を有している。 また、 半導体レーザ用光ディ スク記録媒体と して用いる場合、 再生レーザ光による光反射率が極めて高く、 特に利用価 値が高いものである。 また本発明の化合物は、 一般の染 料に比し、 吸収が鮮鋭であるため、 フィ ルター用色素と して、 また複写及び印刷用の感光体又は感光体の増感色 素と して好適に使用され得る。 更に本発明の化合物は、 肝機能検査薬等の医療診断薬、 L B膜用色素等と しても 有用である。
[0046] 実 施 例
[0047] 以下に化合物 (2 ) の製造例を参考例として掲げ、 次 に本発明の化合物の製造例を掲げる。
[0048] 参考例
[0049] 3 , 4 —メ チレンジォキシァニリ ン 2 0. 5 7 g、 3 —ブロモー 3 —メ チルー 2 —ブ夕 ノ ン 2 4. 7 6 g及び ピリ ジン 7 53 の混合物を 5 0〜 5 5 °Cで 5時間反応さ せ、 更に還流下 1 0時間反応させた。 反応終了後、 水 1 0 03^に投入し、 ジク ロルメ タ ン 5 0 で抽出し、 溶 媒を除去後、 真空蒸留により 2, 3 , 3 — ト リ メチルー 5, 6 —メ チレンジォキシイ ン ドレニン 1 1. 6 4 gを 得た。
[0050] 沸点 1 3 4 — 1 3 6 °CZ 4〜 5 Μ
[0051] 上記で得られた 2, 3 , 3 — ト リ メチルー 5, 6—メ チレンジォキシイ ン ドレニン 1 0. 1 6 g、 p — トルェ ンスルホン酸 n―ブチル 1 3. 6 7 g及びク ロルべンゼ ン 4 0 ^の混合物を還流下に 2 0時間反応させた。 反応 終了後、 水 6 0 で 1 一 (n—プチル) — 2 , 3, 3 - ト リ メ チル一 5, 6 —メ チレンジォキシイ ン ドレニウム • トルエンスルホネートを抽出した。
[0052] この抽出液に 2 0 %N a 0 H 2 0 gを加え、 7 0 °Cで 3時間反応後、 トルエン 3 0 で抽出した。 トルエンを 留去後、 真空蒸留によ り、 1一 (n—プチル) — 3, 3 — ジメ チル一 2—メ チ レン一 5, 6—メ チ レ ンジォキシ イ ン ド リ ン 5. 2 5 gを得た。
[0053] 沸点 1 6 2— 1 6 4 °C/ 5〜 6 nimHg
[0054] 上記で得られた 1一 (n—プチル) ー 3, 3— ジメ チ ルー 2—メ チ レン一 5, 6—メ チレンジォキシイ ン ド リ ン 5. 0 0 g及びイ ソプロ ピルアルコール 1 0 0 の混 合物中へ、 2 0 °C以下で 7 0 %H C 04 3. 2 4 gを 加えた。 室温で 1時間攪拌後、 5 °C以下に冷却した。 析 出する結晶を炉別、 洗浄後乾燥して、 1一 (n—プチル) 一 2, 3 , 3— ト リ メ チルー 5, 6—メ チレ ンジォキシ イ ン ドレニウム · パーク ロ レ一 ト 6. 9 4 gを得た。
[0055] 融点 1 4 7. 0 - 1 5 0. 0 °C
[0056] 製造例 1
[0057] 一般式 ( 2 ) の化合物 R 1 =H、 R 2 = n—ブチル 基、 X = 0、 Y = 0、 Ζ © = C 04 Θ ] 1. 4 5 g、 ^一ァニ リ ノ ーアク ロ レイ ン一ァニル塩酸塩 0. 5 2 g 及び酢酸力 リ ウム 0. 6 8 gを無水酢酸 2 0 ^に加え、 1 0分間還流した後、 水 1 0 0^へ投入した。 析出した 結晶を伊別、 水洗後、 メ タ ノールで再結晶して、 一般式 ( 1 ) の化合物 CR 1 = H、 R 2 = n—ブチル基、 X = 0、 Y = 0、 Z 0 = C 04 θ、 η = 2 ] 1. 0 5 gを 得た。 この化合物の融点、 吸収最大波長 ( A max ) 及び モル吸光係数 ( ε ) は以下の通りである。
[0058] 融点 : 2 4 2. 0 - 2 4 3. 0 °C
[0059] λ max : 6 9 6 n m (メ タ ノ一ル)
[0060] ε : 1. 7 6 X 1 05 cm-1
[0061] 製造例 2
[0062] 一般式 (2) の化合物 CR 1 =H、 R 2 =ェチル基、 X = 0、 Y = 0、 Ζ © = I ® ) 9. 3 4 g、 β —了二 、) ノ ーアクロレイ ン一ァニル塩酸塩 3. 3 6 g及び酢酸力 リ ウム 4. 3 0 gを無水酢酸 1 0 0 ^に加え、 1 0分間 還流した後、 水 6 0 03 へ投入した。 析出した結晶を伊 別、 水洗後、 メ タノ一ルで再結晶して、 一般式 ( 1 ) の 化合物 〔R i = H、 R 2 =ェチル基、 X = 0、 Y = 0、 Ζ Θ = Ι Θ、 η = 2 ) 5. 2 0 gを得た。
[0063] この化合物の吸収最大波長 ( A mai ) は 6 9 4 nm (メ タ ノール) であつた。
[0064] 製造例 3
[0065] 一般式 (2) の化合物 〔R ^ =H、 R 2 = 2—メ トキ シェチル基、 X = 0、 Y = 0、 Z© = C 04 Θ
[0066] 9. 4 1 g、 グルタコンアルデヒ ドジァ二リ ド塩酸塩 3. 7 4 g及び酢酸カ リ ウム 4. 3 0 gを無水酢酸 1 0 03^に加え、 1 0分間還流した後、 水 6 0 0 へ投 入した。 析出した結晶を炉別、 水洗後、 メ タノールで再 結晶して、 一般式 ( 1 ) の化合物 (R 1 = H、 R 2 = 2
[0067] —メ トキシェチル基、 Χ = 0、 Υ = 0、 Ζ Θ =
[0068] C 04 Θ、 η = 3〕 6. 0 0 gを得た。
[0069] この化合物の吸収最大波長 ( A max ) は 7 9 3 n m (メ タノール) であった。
[0070] 製造例 4
[0071] 一般式 ( 2 ) の化合物 〔R ! =メ チル基、 R 2 = n - ブチル基、 x = o、 Y = チレン基、 Ζ Θ = (: ^ Ο 4 Θ〕
[0072] 5. 3 4 gを用い、 製造例 1 と同様にして、 一般式 ( 1 ) の化合物 〔R〗 =メ チル基、 R 2 = n —ブチル基、 X = 0、 Y =メ チ レン基、 Z e = C 04 θ、 η = 2 )
[0073] 2. 0 9 gを得た。 この化合物の融点、 吸収最大波長 ( λ max ) 及びモル吸光係数 ( ε ) は以下の通りである。 融点 : 2 2 7 — 2 2 8 °C
[0074] λ max : 6 9 5 n m (ジアセ ト ンアルコール)
[0075] ε : 1. 9 4 1 0 5 cm-1
[0076] 製造例 5
[0077] 一般式 ( 2 ) の化合物 CR 1 =メチル基、 R 2 = n - ブチル基、 X =メチレン基、 Υ = 0、 Ζ © = C ^ 04 0 ) 5. 3 4 gを用い、 製造例 1 と同様にして、 一般式 ( 1 ) の化合物 〔R ! =メ チル基、 R2 = n—プチル基、 X = メ チレン基、 Y = 0、 ZQ = C C e 、 n = 2 ) 2. 7 6 gを得た。 この化合物の融点、 吸収最大波長 ( λ max ) 及びモル吸光係数 ( ε ) は以下の通りである。 融点 : 2 1 5 — 2 1 7 °C
[0078] λ max : 6 8 8 n m (ジアセ ト ンァゾレコール)
[0079] ε : 1. 9 0 X 1 05 cm"1
[0080] 製造例 6
[0081] 一般式 (2) の化合物 (R 1 = H、 R 2 = n—ブチル 基、 X =メ チレン基、 ¥ =メ チレン基、
[0082] = c ^ 04 Θ ] 4. 00 gを用い、 製造例 1と同様 にして、 一般式 ( 1 ) の化合物 [R 1 =H、 R 2 = n— プチル基、 X =メ チレン基、 =メ チレン基、 ZS = C ^ 04 0 ^ n = 2〕 2. 2 0 gを得た。 この化合物の 融点、 吸収最大波長 ( A niax ) 及びモル吸光係数 ( ε ) は以下の通りである。
[0083] 融点 : 1 6 3 — 1 6 5 °C
[0084] λ max : 6 7 O n m (ジアセ ト ンアルコール)
[0085] ε : 2. 2 4 X 1 05 cm-1
[0086] 製造例 7
[0087] 一般式 (2) の化合物 〔R ! = H、 R 2 = 2—ェ トキ シェチル基、 X =メ チレン基、 =メ チレン基、 z〇 = C β Ο θ〕 を用い、 製造例 1 と同様にして、 一般式 ( 1 ) の化合物 CR 1 = H、 R 2 = 2 —エ トキシェチル 基、 Χ =メ チレン基、 丫 =メ チ レン基、 Z © =
[0088] C £ 0 4 Θ . η = 2 ] を得た。 この化合物の吸収最大波 長 (ス max ) 及びモル吸光係数 ( ε ) は以下の通りであ る
[0089] A ma I 6 7 2 n m (ジアセ ト ンアルコール)
[0090] ε : 2. 2 0 X 1 0 5 cm"1
[0091] 製造例 8
[0092] 一般式 ( 2 ) の化合物 〔R ! = H、 R 2 = 2 —ァセ ト キシェチル基、 X -メ チ レ ン基、 丫 =メ チ レ ン基、
[0093] = B F 4 Θ〕 を用い、 製造例 1 と同様にして、 一般式 ( 1 ) の化合物 CR 1 = H、 R 2 = 2 —ァセ トキシェチ ル基、 Χ =メ チレン基、 Υ -メ チレン基、 ζ ο =
[0094] B F 4 Θ、 η = 3 ) を得た。 この化合物の吸収最大波長 ( λ max ) 及びモル吸光係数 ( ε ) は以下の通りである ス max : 7 6 8 n m
[0095] ε : 2. 2 8 1 0 s cm"1
[0096] 製造例 9
[0097] 一般式 ( 2 ) の化合物 [R 1 = H、 R 2 = 2 —メ トキ シェチル基、 x =メ チ レ ン基、 Y = チ レ ン基、 z© =
[0098] I Θ〕 を用い、 製造例 1 と同様にして、 一般式 ( 1 ) の 化合物 CR 1 = H、 R 2 = 2 —メ トキシェチル基、 X = メ チレン基、 =メ チレン基、 Z © = I 、 η = 3 ) を 得た。 この化合物の吸収最大波長 ( A max ) 及びモル吸 光係数 ( ε ) は以下の通りである。
[0099] A max : 7 6 8 n m
[0100] ε : 2. 3 0 x 1 0 5 cm"1
[0101] 製造例 1 0
[0102] 一般式 (2 ) の化合物 CR 1 = H、 R 2 = 2 — ヒ ドロ キシェチル基、 Χ = 0、 Υ = 0、 Ζ © =
[0103] C H 3 ^ S 03 €>〕 を用い、 製造例 1 と同様にして、 一般式 ( 1 ) の化合物 CR 1 = H、 R 2 = 2 — ヒ ドロキ シェチル基、 Χ = 0、 Υ = 0、 Ζ Θ =
[0104] C Η 3 -<^ S 03 Θ、 n = 2 ) を得た。 この化合物の 吸収最大波長 ( λ ι χ ) 及びモル吸光係数 ( ε ) は以下 の通りである。
[0105] λ max : 6 9 5 n m (ジアセ ト ンアルコール)
[0106] ε : 1. 7 0 X 1 0 5 cm"1 .
[0107] 製造例 1 1
[0108] 一般式 (2 ) の化合物 〔R 1 = H、_ R 2 =
[0109] - C 2 H 4 S 03 N a基、 X = 0、 Y = 0、 Ζ ® =
[0110] C Θ〕 を用い、 製造例 1と同様にして、 一般式 ( 1 ) の化合物 CR 1 = H、 R 2 = - C 2 H 4 S 03 N a基、 χ = 0、 Υ = 0、 ΖΘ =〇 ^ Θ、 η = 3〕 を得た。 この 化合物の吸収最大波長 ( A niax ) 及びモル吸光係数 ( ε ) は以下の通りである。
[0111] λ max : 7 9 0 n m (メ タ ノール)
[0112] ε : 1. 6 0 X 1 05 cm"1
[0113] 製造例 1 2
[0114] 一般式 (2 ) の化合物 (R 1 =メ チル基、 R 2 = n - ブチル基、 X = 0、 Y = チレン基、 Z<≡> =
[0115] C 2 H 5 S 04 Θ〕 を用い、 製造例 1 と同様にして、 一 般式 ( 1 ) の化合物 CR 1 =メチル基、 R 2 = η—プチ ル基、 Χ = 0、 丫 =メチレン基、 ΖΘ =
[0116] C 2 Η 5 S 04 0. η = 3〕 を得た。 この化合物の吸収 最大波長 ( λ ι χ ) 及びモル吸光係数 ( ε ) は以下の通 りである。
[0117] λ max : 7 9 5 n m (メ タノール)
[0118] ε : 1. 9 3 x 1 05 cm"1
[0119] 〈反射率測定試験〉
[0120] 下記第 1表に示す各種シァニン系色素をジァセ ト ンァ ルコールに 3 0 gZ になるように溶解し、 これをァク リル板にス ピンコーターを用いて 1 5 0 rpm で、 膜厚が
[0121] 6 0 0〜 7 0 0 Aとなるように塗布し、 乾燥し、 7 7 0 η π!〜 8 0 0 n mの波長における上記ァク リル板の基板 面側からの最大反射率を測定した。 結果を第 1表に示す シァニン系色素 最大反射率 (%)
[0122] 製造例 1 4 5
[0123] 製造例 2 4 5
[0124] 製造例 4 3 9
[0125] 製造例 5 4 0
[0126] 製造例 7 4 2
[0127] 製造例 1 0 4 5
[0128] 〈溶剤溶解性〉
[0129] 下記第 2表に示す各種シァニン系色素をジァセ ト ンァ ルコールに溶解し、 室温における溶解度を測定した。 結 果を第 2表に示す。
[0130] 第 2 表
[0131] シァニン系色素 溶解度 ( g Z ^ )
[0132] 製造例 1 3 0以上
[0133] 製造例 2 3 0
[0134] 製造例 4 3 0以上
[0135] 製造例 5 3 0以上
[0136] 製造例 Ί 3 0
[0137] 製造例 1 0 3 0以上
权利要求:
Claims
2 請求の範囲
① 一般式
〔式中 R 1 は水素原子又は低級アルキル基を示す。
R 2 は置換基を有するこ とのある低級アルキル基を 示す。 X及び Yは、 同一又は異なって、 メチ レ ン基 又は酸素原子を示す。 Zは酸性残基を示す。 nは 2 又は 3を示す。 〕
で表わされるシァニン系化合物。
② R 2 で示される低級アルキル基に置換している置換 基が C のアルコキシ基、 水酸基、 スルホ ン酸基、
1 - 8
カルボキシ基、 ( c のアルキル) ア ミ ノ基、 フエ ニルスルホニルァ ミ ノ基、 ρ —メ チルフエニルスルホ ニルァ ミ ノ基、 ァセ トキシ基、 ( C し 3 のアルコキシ) カルボニル基又は ( C ^ のアルコキシ) ( C ^ の アルコキシ) カルボニル基である請求の範囲①記載の 化合物。
③ X及び Yが共にメチレン基である請求の範囲①記載 の化合物。 ④ X及び Υが共に酸素原子である請求の範囲①記載の 化合物。
⑤ Xがメチレン基、 Υが酸素原子である請求の範囲① 記載の化合物。
⑥ Xが酸素原子、 Υがメチレン基である請求の範囲① 記載の化合物。
⑦ Ζがハロゲン原子、 アルキル硫酸塩残基、 ァリール スルホン酸塩残基、 パークロレ一ト残基、 テ トラフル ォロボレート残基、 ァリールカルボン酸残基である請 求の範囲①記載の化合物。
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同族专利:
公开号 | 公开日
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EP0387360A4|1991-03-13|
DE68912303D1|1994-02-24|
EP0387360A1|1990-09-19|
DE68912303T2|1994-06-16|
EP0387360B1|1994-01-12|
引用文献:
公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
法律状态:
1990-03-22| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): US |
1990-03-22| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH DE FR GB IT LU NL SE |
1990-05-02| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1989910205 Country of ref document: EP |
1990-09-19| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1989910205 Country of ref document: EP |
1994-01-12| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1989910205 Country of ref document: EP |
优先权:
申请号 | 申请日 | 专利标题
JP22709188||1988-09-09||
JP63/227091||1988-09-09||DE1989612303| DE68912303T2|1988-09-09|1989-09-06|Cyaninverbindungen.|
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